教育及工作经历
2019年–今 : 永利集团88304官网在线登录，讲师
2013年 – 2018年: 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心离子束物理与材料研究所/德累斯顿工业大学，物理学专业，博士学位
2010年– 2013年: 郑州大学物理工程学院，凝聚态物理专业，硕士学位
2006年– 2010年: 周口师范学院物理与电信工程学院，物理学专业，学士学位
研究方向
硅掺杂材料的制备与光电性能研究
科研项目
德国青年科学家基金（HGF-VHNG-713），离子束处理自旋电子学及光伏功能材料，2011-2016年，参与
代表性成果
论文
F. Liu, M. Wang, Y. Berencén, S. Prucnal, M. Engler, R. Hübner, Y. Yuan, R. Heller, R. Böttger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm and S. Zhou, On the insulator-to-metal transition in titanium-implanted silicon, Scientific Reports, 2018, 8, 4164.
F. Liu, S. Prucnal, Y. Berencén, Z. Zhang, Y. Yuan, Y. Liu, R. Heller, R. Boettger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Realizing the insulator-to-metal transition in Se-hyperdoped Si via non-equilibrium material processing, J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 50, 415102.
F. Liu, S. Prucnal, R. Hübner, Y. Yuan, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Suppressing the cellular breakdown in silicon supersaturated with titanium, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 49, 245104.
F. Liu, S. Prucnal, Y. Yuan, R. Heller, Y. Berencén, R. Boettger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Structural and electrical properties of Se-hyperdoped Si via ion implantation and flash lamp annealing, Nuclear Inst, and Methods in Physics Research B, 2018, 424, 52–55.
S. Zhou, F. Liu, S. Prucnal, K. Gao, M. Khalid, C. Baehtz, M. Posselt, W. Skorupa, M. Helm, Hyperdoping silicon with selenium: solid vs. liquid phase epitaxy, Scientific Reports, 2015, 5, 8329.
S. Prucnal, F. Liu, M. Voelskow, L. Vines, L. Rebohle, D. Lang, Y. Berencén, S. Andric, R. Boettger, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa, Ultra-doped n-type germanium thin films for sensing in the mid-infrared, Scientific Reports, 2016, 6, 27643.
S. Prucnal, F. Liu, Y. Berencén, L. Vines, L. Bischoff, J. Grenzer, S. Andric, S. Tiagulskyi, K. Pyszniak, M. Turek, A. Drozdziel, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa, Enhancement of carrier mobility in thin Ge layer by Sn co-doping, Semi. Sci. & Technol., 2016, 31, 105012.
J. Zhu, F. Liu, S. Zhou, C, Franke, S. Wimmer, V. V. Volobuev, G. Springholz, A. Pashkin, H. Schneider, M. Helm, Lattice vibrations and electrical transport in (Bi1-xInx)2Se3 films, Appl. Phys. Lett. 2016, 109, 202103.
